三星的秘密武器 | 不选28nm FD-SOI你的产品没法爆棚!

2016-02-03 13:58:31 来源:EEFOCUS
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媒体就三星的FD-SOI工艺现状采访了Kelvin Low,三星代工厂市场营销资深总监,以及Axel Fischer,三星系统LSI业务欧洲区总监。以下是采访三部曲中的第二部分,谈及设计。在第一部分,谈到了此技术的完备性。在第三部分,将谈及产业生态系统。


媒体:让我们谈谈价值问题。28nm FD-SOI的主要优势在哪里?
Kelvin Low:FD-SOI的应用范围很广。对于设计师来说,有很多工艺可供选择,要么可以实现高性能,要么可以实现超低功耗。这对他们来说是非常有价值而且重要的。宽广的动态能耗范围由FD-SOI的基底偏压能力实现。即使bulk技术可实现基底偏压,相对而言应用范围窄得多。

 


另一个主要优势是FD-SOI优越的模拟增益以及特性。我认为在今后,我们很可能会有更多客户注重模拟。这也是FD-SOI的重要价值之一。目前,我们仍有多家合作的数字客户。模拟的客户还没有积极转向更加先进的技术节点。不过当他们开始转变时,那也将凸显出FD-SOI对比bulk的一个重要区别。

 

另一个与功耗、性能、大小无关的重要区别在于其高度可靠性。FD-SOI已经被充分证实其软错误免疫力相比bulk大大提高。所以任何需要辐射保护的领域,比如军事、航天,都会显示出其优势,当然这些领域的所需产量不高;以及汽车产品,也可以获得相比bulk更高的软错误免疫力。不仅仅是存储软错误率(SER),逻辑软错误率(SER)也是如此。同时也有可用的设计技术来解决这个问题。比如说,如果想克服软错误率(SER),芯片面积就要增加等等。而FD-SOI已经有了应对方案,因此无需额外处理这个问题。


媒体:设计师需要何时考虑使用28nm FD-SOI而不是14nm FinFET或者其他28nm的技术?
KL:由于一个是28一个是14,如果的确需要很强的逻辑功能整合,或者芯片面积微缩时,那么14nm很明显更为适用。如果你寻求更低功耗,那么14nm FinFET和28nm FD-SOI都是全耗尽的,即两者都能在更低的功率下运行。这是两个工艺的共同点。14nm FinFET基于其构造,性能上的确比28nm的更优秀。最后一点,从价格来说,这涉及到双光罩的数量;28nm不涉及各种复杂的双光罩,而14nm拥有双光罩从而实现面积微缩,这是一个明显的差异。最终产品成本也将由所选的技术决定。

 


Axel Fischer:最终产品的成本,加上客户层面的投资:客户将作出一定的投资以确保芯片的整体成本符合规划。如果你考虑光罩费用、NRE费用以及其他费用,这些将占很大比重,特别是当你使用的是更加先进的节点技术。有很多客户目前使用28nm节点的技术就足够了。

 

KL:28nm有好几种形式,比如Poly-SiON、HKMG、HKMG-FD-SOI等。就性能来说,区别也是很明显的。就功耗来说,FD-SOI的功耗节省更明显。芯片面积微缩方面,大致来看HKMG和FD-SOI差不多。这通常并不由晶体管决定,而是由这项技术的整体设计规则决定的。所以,14nm价格更高。28nm价格低很多。最终可以根据客户的预算来看14nm是不是可行。我们需要认真了解客户的需求,而非一味推崇某一解决方案。根据客户的需求,我们再进行相应的推荐。

 

 

 
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作者简介
Adele HARS
Adele HARS

Adele HARS女士从《Advanced Substrate News》2005年创立以来即担任主编一职,她拥有超过25年的电子行业采编经验。

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